纳芯微推出新一代高精度隔离采样芯片
2025-12-17
纳芯微于2025年12月17日宣布推出全新一代隔离电压采样芯片NSI1611系列。
作为经典产品NSI1311系列的全面升级,该系列基于领先的电容隔离技术,在性能与适配性上实现双重突破。其核心创新在于支持0~4V宽压输入的同时,保持1Gohm高阻输入,可显著提升电压采样的精度与抗干扰能力;部分料号亦兼容传统0~2V输入,为客户提供更灵活的器件选择。
该系列包含差分和单端版本,其中单端提供固定增益和可调比例增益两类选项,可帮助客户简化设计、降低BOM成本,并为新能源汽车主驱逆变器、车载充电机以及伺服、变频器等工业应用带来更优解决方案。NSI1611系列多项关键参数优化,例如输入偏置电压指标优化至±0.8mV,整体综合功耗下降约33%,EMI表现优异,可轻松通过CISPR 25 Class 5认证。
车规版本满足AEC—Q100 Grade 1要求,隔离耐压高达5700Vrms,适配汽车高温高压严苛环境。该系列计划于2026年1月全面量产。
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作为经典产品NSI1311系列的全面升级,该系列基于领先的电容隔离技术,在性能与适配性上实现双重突破。其核心创新在于支持0~4V宽压输入的同时,保持1Gohm高阻输入,可显著提升电压采样的精度与抗干扰能力;部分料号亦兼容传统0~2V输入,为客户提供更灵活的器件选择。
该系列包含差分和单端版本,其中单端提供固定增益和可调比例增益两类选项,可帮助客户简化设计、降低BOM成本,并为新能源汽车主驱逆变器、车载充电机以及伺服、变频器等工业应用带来更优解决方案。NSI1611系列多项关键参数优化,例如输入偏置电压指标优化至±0.8mV,整体综合功耗下降约33%,EMI表现优异,可轻松通过CISPR 25 Class 5认证。
车规版本满足AEC—Q100 Grade 1要求,隔离耐压高达5700Vrms,适配汽车高温高压严苛环境。该系列计划于2026年1月全面量产。
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