【经营】纳芯微推出110V半桥GaN驱动芯片NSD2123

纳芯微全新推出110V半桥GaN驱动芯片NSD2123，具备智能自举充电控制、桥臂中点耐负压和抗干扰能力强、内置有源米勒钳位等特点，适用于电源模块、机器人、光储、音频功放等领域。该芯片专为增强型GaN HEMT优化，采用自举开关代替二极管，消除过充风险，并支持独立调节开关速度，有助于提升系统可靠性。