拓荆科技扩产获资，国产替代加速

公司修订定增方案，拟募资46亿元用于高端半导体设备产业化基地及前沿技术研发中心，建成后将大幅提升PECVD、ALD等薄膜沉积设备产能。

控股子公司拓荆键科引入国家大基金三期等战略投资者，获得4.5亿元增资，三维集成键合设备获资金加持，强化国产替代预期。

公司薄膜沉积及键合设备已通过客户认证并逐步实现量产，性能达到国际同类设备水平。