【观点】爱建证券研报看好半导体设备多腔化趋势，提及拓荆科技

2026年5月25日，爱建证券发布研究报告，指出先进制程与设备多腔化趋势共振，看好半导体设备零部件环节。报告认为，国产半导体设备向7nm及以下先进制程突破，推动零部件向高精度、高洁净度及高可靠性升级。

存储扩产设备多腔化趋势有望提升设备单机价值量和核心零部件价值占比，进一步放大业绩弹性。随着先进制程及多腔化趋势推进，具备平台化布局的国产零部件企业有望持续提升市场份额。

投资建议中提及拓荆科技作为薄膜沉积设备公司。