清溢光电半导体掩膜版技术突破 国产替代空间广阔

清溢光电在业绩说明会上表示，其佛山生产基地总投资为35亿元。公司已在半导体芯片掩膜版技术领域取得进展，实现了150nm工艺节点掩膜版的小规模量产，目前正推进130nm—65nm的PSM和OPC工艺掩膜版开发，并规划了28nm半导体芯片所需的掩膜版工艺开发。

同时，公司的半导体掩膜版业务已拥有比亚迪半导体、芯联集成等代表性客户。当前，半导体掩膜版的国产化率约为10%，显示出广阔的国产替代空间。