【经营】清溢光电拟15亿投建高端半导体掩膜版三期，主攻28nm-14nm

清溢光电公告，控股子公司佛山清溢微拟投资建设高端半导体掩膜版生产基地三期，计划总投资不超过15亿元，在现有厂房基础上改造并引入新设备，扩建覆盖28nm-14nm制程的高端半导体掩膜版生产线，建设期36个月，预计2026年12月开工。

项目资金来自子公司自有或自筹资金，不涉及募集资金，建设完成后有望提高公司半导体掩膜版技术能力和产能、优化产品结构并提升市场占有率。

公告同时提示，项目尚需完成备案、环评等审批，存在审批、资金筹措、行业变化及收益不达预期等风险。