【市场】三星新内存技术点燃存储扩产预期，半导体设备ETF大涨带动中船特气涨超5%

三星在“未来内存与存储”大会上展示超400层V10B V-NAND原型、垂直堆叠式高带宽内存zHBM及zNAND-O架构，存储芯片产业链扩产预期升温。

半导体设备ETF易方达(159558)盘中涨5.38%，中船特气作为半导体材料设备指数成分股同步涨超5%。半导体设备被视为存储扩产周期中具备前置效应的底层支撑。