【经营】华峰测控牵头制定SiC MOSFET非钳位电感开关测试标准正式发布
2026-09-28
2026年9月28日,团体标准T/CASAS 038—2026《SiC MOSFET非钳位电感开关(UIS)测试方法》正式发布,该标准由北京华峰测控技术股份有限公司牵头制定,遵循CASAS标准制定流程。
该标准描述了SiC MOSFET器件非钳位电感开关的测试方法,涵盖单脉冲雪崩击穿能量(EAS)和重复雪崩击穿能量(EAR)的测试原理、条件、流程及数据处理等内容,适用于SiC MOSFET分立器件在CP、KGD、FT及实验室研发等阶段的UIS测试。
主要起草单位还包括东南大学、浙江大学、华润润安科技、士兰微、中国一汽等多家机构,体现了华峰测控在第三代半导体测试标准领域的牵头地位与技术话语权。
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该标准描述了SiC MOSFET器件非钳位电感开关的测试方法,涵盖单脉冲雪崩击穿能量(EAS)和重复雪崩击穿能量(EAR)的测试原理、条件、流程及数据处理等内容,适用于SiC MOSFET分立器件在CP、KGD、FT及实验室研发等阶段的UIS测试。
主要起草单位还包括东南大学、浙江大学、华润润安科技、士兰微、中国一汽等多家机构,体现了华峰测控在第三代半导体测试标准领域的牵头地位与技术话语权。
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