天岳先进碳化硅材料突破 成本优势引增长机遇

天岳先进董事长宗艳民在集成电路产业链主题研讨会上表示，公司在大尺寸碳化硅衬底材料方面取得重大突破，微管降到0，核心参数指标大幅优化，支持器件应用。目前碳化硅器件成本已低于硅基IGBT，中国在碳化硅领域走在世界前列，国外厂商机会较小。天岳先进8英寸碳化硅衬底在海外市场供应占比较大，且碳化硅衬底已实现全部国产化。未来公司将受益于碳化硅器件成本优势带来的广泛应用及爆发性增长，同时碳化硅衬底作为光学AI眼镜最佳材料的应用也将带来重大市场机遇，公司将从产品、技术、产能等方面做好准备。