【观点】SiC材料或成先进封装关键，天岳先进受关注

行业观点指出，先进封装CoWoS正迈入大尺寸、高HBM堆叠与高热流密度的新阶段，而伴随尺寸增大，热管理与翘曲控制已成为规模化量产的核心制约。

SiC材料凭借高热导率、高刚性及与硅芯片匹配的热膨胀系数，成为破解上述热-机械双重瓶颈的关键材料，有望以热扩散层、承载层等形式导入先进封装，提升良率与可靠性。文章将天岳先进列为SiC衬底环节的相关受益标的之一。