【经营】天岳先进液相法P型SiC衬底实现双优化 外延可用面积提升27%

2026年9月28日至10月2日，第23届国际碳化硅及相关材料会议(ICSCRM 2026)在日本横滨举行，天岳先进朱灿博士受邀分享液相法P型4H-SiC衬底品质提升与优化成果。

团队通过长晶炉热场结构优化、降温曲线动态调控、掺杂组分协同匹配等多维度工艺调节，实现晶体生长缺陷精准抑制。实验结果显示，优化后衬底面型翘曲、总厚度偏差有效改善，螺位错、基平面位错等核心缺陷密度明显下降，外延加工后有效可用芯片面积提升27%。

该成果直接针对高压SiC-IGBT产业化中衬底缺陷传导导致芯片失效的瓶颈，为公司在超高压功率器件材料端建立技术壁垒。