天岳先进引领碳化硅技术革新，彰显全球专利布局实力

法国知名专利分析机构KNOWMADE发布的报告显示，天岳先进在碳化硅（SiC）半导体领域的专利申请量、授权量及海外布局均居中国企业首位，尤其在大尺寸碳化硅衬底技术和低电阻P型碳化硅晶体技术上取得重大突破，填补了国内空白。公司通过创新和全面的专利布局提升了市场竞争力，推动国产碳化硅产业链升级。