东微半导多领域突破：脑机接口与SiC量产驱动增长

东微半导在多个前沿领域取得业务进展，驱动市场关注。公司董事长与中国科学院半导体所研究员共同设立上海东脑智合，专注侵入式脑机接口研发。

此外，公司的中低压SGT器件已批量用于人形机器人关节电机控制并实现出货。

在SiC技术方面，公司SiC MOSFET和Si2C MOSFET已规模化量产，第四代SiC平台小批量试产，车载OBC及主驱电控SiC模块获国内头部Tier1 A样定点。

同时，超级结MOSFET塑封模块在液冷式算力服务器电源领域实现量产突破，功率模块产品覆盖车载OBC、主驱电控等场景。