【观点】三星HBM5采用2nm GAA工艺，联瑞新材封装材料有望受益

三星官方确认HBM5将采用2纳米GAA工艺，速度较HBM4E提升50%以上，标志着HBM竞争从堆叠层数转向基础芯片制程能力。联瑞新材作为先进封装用纳米级球形二氧化硅供应商，覆盖Chiplet/HBM封装材料，有望受益于HBM技术升级带动的产业链材料需求。但文章同时提示，HBM5量产在2028年前后，A股公司业务多处于验证阶段，短期业绩贡献有限。