【观点】SiC材料或破解CoWoS封装瓶颈

CoWoS迈入大尺寸、高HBM堆叠、高热流密度新阶段，成为决定AI算力上限的关键变量。

伴随尺寸增大，热管理与翘曲控制成为核心制约，行业竞争逻辑转向系统级解决方案。

SiC材料凭借高热导率、高刚性及与硅芯片匹配的热膨胀系数，有望以热扩散层等角色切入，破解先进封装瓶颈。相关标的包括华润微等SiC衬底及设备公司。