【经营】芯联集成推出3300V SiC MOSFET，填补国内高压SiC器件空白

芯联集成依托自研8英寸碳化硅工艺平台，正式推出3300V SiC MOSFET器件，面向固态变压器等高压应用场景深度定制，已向核心客户送样验证。该产品基于8英寸产线自研高压平面栅技术，可实现系统级BOM成本降低20%~35%，填补了国内高压SiC器件在固态变压器核心功率级应用中的关键空白。同时公司推出适配的磁性器件，已完成650V至3300V全电压段产品布局，8英寸SiC产线已大规模量产。