【经营】芯联集成3300V SiC已向核心客户送样验证，可降系统BOM成本20%-35%

2026年8月12日，芯联集成在接受调研时披露，伴随全球AI基建高速迭代，数据中心供电架构迎来颠覆性升级，10kV-35kV中压输入、800V HVDC直流已成为下一代AI数据中心供电的主流标准，高压SiC器件占SST整机价值量接近40%。公司已完成650V至3300V全电压段SiC MOSFET产品布局，3300V SiC已向核心客户送样验证，可实现系统级BOM成本降低20%-35%，同时已启动6.5kV、10kV碳化硅产品研发。