【观点】SiC材料或破解CoWoS封装瓶颈
2026-04-14
分析指出CoWoS先进封装正朝着大尺寸、高HBM堆叠和高热流密度发展,热管理和翘曲控制成为规模化量产的关键瓶颈。SiC材料凭借高热导率、高刚性及与硅芯片匹配的热膨胀系数,有望以热扩散层、热承载层等形式渐进导入CoWoS,破解热-机械双重制约。晶升股份作为SiC衬底及设备相关标的,或受益于这一技术趋势带来的市场需求。
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