【观点】韩国半导体出口创纪录叠加HBM虹吸，佰维存储等模组厂涨价红利确定性高

韩国6月前20天半导体出口暴增近3倍，HBM产能虹吸导致普通DRAM供给缺口扩大、合约价暴涨。中国存储模组厂因持有低价库存，成为涨价红利最直接的受益者。佰维存储受益于NAND+DRAM双涨价逻辑，利润弹性有望持续释放。需关注未来DRAM价格触顶回落、美国出口管制等风险。