【观点】三星HBM5将采用2nm GAA工艺,产业链竞争转向制程比拼
DEEPTOPIC · 深度研究
2026-07-28
7月27日三星官方确认下一代HBM5将采用2nm GAA工艺,速度较HBM4E提升50%以上,HBM行业的竞争核心从存储芯片堆叠层数比拼转向基础芯片制程能力比拼。
三星选择IDM全包路线,SK海力士则联合台积电代工,两条路线正展开正面交锋,华海诚科的HBM封装材料已通过部分客户验证。
但HBM5预计2028年前后量产,三星2nm GAA良率暂无第三方公开验证数据,多数A股相关公司的HBM业务仍处于验证或小批量阶段,从技术落地到盈利存在较长不确定性。
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三星选择IDM全包路线,SK海力士则联合台积电代工,两条路线正展开正面交锋,华海诚科的HBM封装材料已通过部分客户验证。
但HBM5预计2028年前后量产,三星2nm GAA良率暂无第三方公开验证数据,多数A股相关公司的HBM业务仍处于验证或小批量阶段,从技术落地到盈利存在较长不确定性。
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