【观点】存储芯片周期与公司技术适配推动大涨

据证券日报2026年4月14日报道，存储芯片价格第二季度继续上行，TrendForce集邦咨询预计一般型DRAM合约价将环比上涨58%至63%、NAND Flash合约价将环比上涨70%至75%。AI需求引爆存储“超级周期”，全球头部存储原厂产能转向HBM产品，加剧供需失衡。

公司产品已适配国内最先进的192层3D NAND存储芯片制造产线，并广泛用于长江存储、中芯国际等国内主流集成电路制造产线，受益于行业景气与国产化趋势。