银河微电拟3.1亿扩产，加码高端半导体布局

银河微电宣布投资3.1亿元建设高端集成电路分立器件产业化基地一期项目，旨在提升产能以满足市场需求。公司产品覆盖小信号器件、功率器件、第三代半导体等，近年营收持续增长。项目选址常州，建设周期30个月，资金来自自有或自筹。公司现有产能受限，扩产可提升盈利。同时，其SiC、GaN芯片设计能力初步形成，车规级半导体项目进入产能爬坡阶段，已获车企认证，目标替代海外厂商市场份额。