灿芯股份多芯片项目进入设计阶段，国产MRAM突破助力商业化前景

灿芯股份在机构调研中透露，多个芯片定制项目已进入设计阶段并预计年内流片，其中MRAM控制芯片项目在国产自主工艺平台上实现技术突破，可逐步替代现有存储方案，具有商业化潜力。公司多工艺平台IP研发取得进展，包括DDR、SerDes等高速接口IP已量产交付，支持数据中心AI加速和车载SoC等高性能场景，同时28HKD工艺平台IP完成验证并新增低功耗存储接口产品线，3D封装技术优化提升互连效率，高性能模拟IP如4.5GHz PLL为多领域提供时钟解决方案。