【经营】锴威特在业绩说明会上披露第三代半导体技术进展
2026-05-29
2026年5月29日,锴威特举行2025年度暨2026年第一季度业绩说明会,回答投资者关于第三代半导体研发重点的问题。公司正重点推进第三代碳化硅(SiC)MOSFET技术平台的优化与升级,已将1200V SiC MOS的比导通电阻降低至3.0mΩ·cm?以下。
同时,公司研发了集成肖特基势垒二极管(SBD)的SiC MOSFET,以解决其寄生二极管的固有缺陷,该产品适用于车载充电机(OBC)和电机驱动等应用;此外,针对小电流SiC MOSFET静电放电(ESD)耐受能力弱的问题,公司研发了集成ESD保护的SiC MOSFET,其ESD耐量测试可通过2KV。
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同时,公司研发了集成肖特基势垒二极管(SBD)的SiC MOSFET,以解决其寄生二极管的固有缺陷,该产品适用于车载充电机(OBC)和电机驱动等应用;此外,针对小电流SiC MOSFET静电放电(ESD)耐受能力弱的问题,公司研发了集成ESD保护的SiC MOSFET,其ESD耐量测试可通过2KV。
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