宏微科技：专注于第三代化合物半导体技术的研发，SiC SBD芯片通过多家终端客户的可靠性测试

宏微科技在第三代化合物技术研发上取得多项突破，特别是在高压大电流产品方向。公司自主研发的SiC SBD肖特基势垒二极管已通过多家终端客户的可靠性测试并实现小批量出货，1200V40mΩ SiC MOSFET芯片也研发成功。这些技术进展为宏微爱赛平台的发展提供了坚实基础和技术支撑，展示了公司在高性能功率半导体领域的技术优势。