【经营】长鑫存储官宣4F架构DDR5 RDIMM产品年底亮相

长鑫存储4F DRAM架构研发近期取得关键进展，公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上正式官宣，预计年底将推出融合4F架构等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

长鑫自成立起即启动4F研究和专利布局，公开专利族超300件，数量领先海内外厂商。当前行业主流DRAM单元为6F架构，从6F到4F的跨越属于根本性变革，需全新器件与工艺体系。

长鑫此次将4F架构首代产品定为DDR5 RDIMM，直接切入服务器内存领域，面临极高的技术与工程壁垒。研发过程中已全面优化字线金属化、位线成型及结激活等关键工艺。