存储芯片周期启动 国产替代加速利好半导体

存储芯片超级周期启动，AI需求推动高带宽内存（HBM）及第三代半导体发展，3D NAND技术提升国产设备验证进程。国产替代方面，28nm光刻机量产、3D NAND产线验证、硅片良率提升至90%，国产化产线计划2025年下半年试产。大基金三期聚焦设备材料，区域产业集群政策助力产业发展。存储价格预计Q3上涨10%-15%，AI算力、智能汽车等需求增长，利好设备材料订单兑现和技术迭代。