【经营】通富微电先进封装技术突破与量产进展

2026-01-15
通富微电
强中性买入
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通富微电在先进封装技术方面取得显著进展,掌握了超大尺寸2D和3维堆叠封装等前沿技术,并在5nm制程产品的投产上实现突破。其2.5D封装单面积可达110×110mm,支持1850亿晶体管GPU集成,互连密度与信号延迟对标国际顶尖水平。大尺寸FCBGA已进入量产阶段,良率高达99.5%,攻克了AI芯片翘曲与散热难题。

公司营收规模位列全球四强,在国内半导体封装测试领域市场占有率位居全国第二,具有较高的市场影响力和行业话语权。
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