【观点】混合键合技术迎AI风口，国产替代加速

东兴证券深度研究报告分析，混合键合技术作为后摩尔时代芯片互连的革命性方案，通过铜—铜直接键合实现超精细间距互连，支撑AI芯片、HBM高堆叠存储和Chiplet架构。

报告指出，AI算力爆发与HBM需求驱动混合键合市场进入爆发前夜，预计2030年全球市场规模增至6.18亿美元，中国成为核心增长引擎，通富微电等海内外厂商加码布局先进封装。

竞争格局上，海外龙头BESI主导，但国内企业如拓荆科技已实现量产突破，国产化率有望提升，未来3—5年将是技术突破与国产替代的黄金窗口期，混合键合设备有望成为半导体投资主线。